上海微电子：第一台28nm国产光刻机交付在即

光刻机按照用途可以分为IC 前道光刻机、封装光刻机、面板光刻机以及 LED/MEMS/功率器件光刻机。而我们经常所说的芯片制造所使用的则是IC前道光刻机。 资料显示，光刻工艺是芯片制造过程中占用时间比最大的步骤，约占芯片制造总时长的40%-50%。同时，光刻机也是目前晶圆制造产线中成本最高的半导体设备，约占晶圆生产线设备总成本的27%。目前最先进的 EUV 设备在2018 年单台平均售价高达 1.04 亿欧元。

据媒体报道，上海微电子装备(集团)股份有限公司披露，将在2021-2022年交付第一台28nm工艺的国产的沉浸式光刻机。虽然这与当今国际顶尖的7nm乃至是5nm光刻机还有数代的隔阂，但是差距已经大大缩小，毕竟在此之前国产光刻机还是90nm。 据悉，上海微电子是国内技术最领先的光刻设备厂商，从低端切入各个细分市场，现已成为封测龙头企业的重要供应商，国内市场占有率高达80%，全球市场占有率也有40%，同时旗下LED/MEMS/功率器件光刻机性能指标领先，LED光刻机市占率第一。

上海微电子现有4大系列的光刻机产品，其中600系列步进扫描投影光刻机面向IC前道制造，采用四倍缩小倍率的投影物镜、工艺自适应调焦调平技术，以及高速高精的自减振六自由度工件台掩模台技术，可用于90nm、110nm、280nm工艺和200mm、300mm晶圆生产。 500系列面向IC后道先进封装，300系列面向LED、MEMS、功率器件制造，200系列面向TFT曝光。

在技术上，上海微电子的IC前道光刻机与国际先进水平差距仍较大。上海微电子装备有限公司已量产的光刻机中性能最好的最高可实现 90nm 制程节点，ASML 的 EUV 3400B 制程节点可达到 5nm。这也使得在IC前道光刻机市场，国产化率较低，国内的IC前道光刻机市场主要被ASML、尼康和佳能瓜分。 不过，在对光刻精度要求较低的封装光刻机、 LED/MEMS/功率器件光刻机、面板光刻机市场，上海微电子则取得了不错的成绩。 目前上海微电子封装光刻机已实现批量供货，成为长电科技、日月光、通富微电等封测龙头的重要供应商，并出口海外市场，在国内市场占有率高达 80%，全球市场占有率达 40%。同时公司 300 系列光刻机可以满足 HB-LED、MEMS 和 Power Devices 等领域单双面光刻工艺需求，占有率达到 20%左右。