日前发布的器件10 V条件下导通电阻典型值降至2.35 mΩ,超低栅极电荷仅为55 nC,COSS为614 pF。这些改进后的技术规格,经过调校最大限度降低开关、通道导通和二极管导通功耗,从而提高能效。这款MOSFET的导通电阻与栅极电荷乘积优值系数(FOM)比紧随其后的竞争产品低12.2 %,比前代器件低22.5 %,使其成为典型48 V输入,12 V输出DC/DC转换器最高效的解决方案。
SiR680ADP可作为模块用于各种DC/DC和AC/DC转换应用,如同步整流、原边开关、降压-升压转换器,谐振回路开关转换器以及系统OR-ing功能,适用于电信和数据中心服务器电源、太阳能微型逆变器、电动工具和工业设备电机驱动控制、电池管理模块的电池切换。
新款MOSFET经过100 % RG和UIS测试,符合RoHS标准,无卤素。
SiR680ADP现可提供样品并已实现量产,供货周期为12周。