安森美半导体在APEC 2021发布 新的用于电动车充电的碳化硅MOSFET模块方案

安森美半导体是半导体行业中一家处于领先地位的半导体制造商之一，他们的产品阵容也十分强大，并且一直以来安森美的产品都凭借着高效优质的特点而得到客户的广泛认可，近日安森美发布了一款新品。

推动高能效创新的安森美半导体 (ON SemIConductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，发布一对1200 V完整的碳化硅 (SiC) MOSFET 2-PACK模块，进一步增强其用于充满挑战的电动车 (EV) 市场的产品系列。

随着电动车销售不断增长，必须推出满足驾驶员需求的基础设施，以提供一个快速充电站网络，使他们能够快速完成行程，而没有“续航里程焦虑症”。这一领域的要求正在迅速发展，需要超过350 kW的功率水平和95%的能效成为“常规”。鉴于这些充电桩部署在不同的环境和地点，紧凑性、鲁棒性和增强的可靠性都是设计人员面临的挑战。

新的1200 V M1完整 SiC MOSFET 2 pack模块，基于平面技术，适合18 V到20 V范围内的驱动电压，易于用负门极电压驱动。它的较大裸芯片与沟槽式MOSFET相比，降低了热阻，从而在相同的工作温度下降低了裸芯片温度。

NXH010P120MNF配置为2-PACK半桥架构，是采用F1封装的10 mohm器件，而NXH006P120MNF2是采用F2封装的6 mohm器件。这些封装采用压接式引脚，是工业应用的理想选择，且嵌入的一个负温系数 (NTC) 热敏电阻有助于温度监测。

新的SiC MOSFET模块是安森美半导体电动车充电生态系统的一部分，被设计为与NCD5700x器件等驱动器方案一起使用。最近推出的NCD57252双通道隔离型IGBT/MOSFET门极驱动器提供5 kV的电隔离，可配置为双下桥、双上桥或半桥工作。

NCD57252采用小型SOIC-16宽体封装，接受逻辑电平输入（3.3 V、5 V和15 V）。该高电流器件（在米勒平台电压下，源电流4.0 A/灌电流6.0 A）适合高速工作，因为典型传播延迟为60 ns。

安森美半导体的 SiC MOSFET与新的模块和门极驱动器相辅相成，比类似的硅器件提供更胜一筹的开关性能和增强的散热性，令能效和功率密度更高，电磁干扰 (EMI) 得以改善，并减小系统尺寸和重量。
 

以上就是关于安森美半导体发布的用于电动车充电的碳化硅MOSFET模块方案的相关介绍，这款产品功效更高，并且减小了尺寸重量，散热性能更好。了解更多新品相关信息，请持续关注查IC网，感谢大家的阅读。