英飞凌推出集成驱动器和开关的GaN功率产品

英飞凌作为一家全球领先的半导体公司，产品以高可靠性、卓越质量以及创新性的特点而取得客户们的广泛认可，同时英飞凌在很多产品领域也掌握着尖端产品技术，并且从未放松对于新产品技术的研发创新。近日英飞凌推出了新品。

基于宽带隙（WBG）材料氮化镓（GaN）的电源开关可实现出色的效率和高开关频率，从而开启了电源电子学的新纪元。为了支持这一发展，英飞凌科技股份公司在其广泛的WBG功率器件产品组合中增加了新的CoolGaN IPS集成功率级（IPS）产品系列。最初的IPS产品组合包括半桥和单通道产品，主要针对中小型电源应用，包括充电器和适配器以及开关电源（SMPS）。

600 V CoolGaN半桥IPS IGI60F1414A1L非常适合中低功率范围内的紧凑轻便设计。它采用耐热增强型8×8 QFN-28封装，使系统具有高功率密度。该产品将两个140mΩ/ 600 V CoolGaN e模式HEMT开关与英飞凌EICeDRIVER系列中的专用电隔离高侧和低侧栅极驱动器结合在一起。

由于具有两个数字PWM输入隔离式栅极驱动器，因此IGI60F1414A1L易于控制。集成的隔离功能，数字和电源地的隔离降低PCB布局复杂性并缩短开发时间，降低系统物料清单和降低总成本。栅极驱动器的输入至输出隔离基于英飞凌成熟的片上无芯变压器（CT）技术。即使在电压斜率超过150 V / ns的超快速开关瞬变中，也可以确保高速和出色的鲁棒性。

IGI60F1414A1L开关可以通过一些无源栅极路径组件轻松地适应不同应用需求。这样可以实现压摆率优化，例如减少电磁干扰（EMI）的工作量，稳态栅极电流设置和负栅极驱动，以实现硬开关应用中的稳健运行。

此外，由于系统级封装的集成以及栅极驱动器的高度精确和稳定的传播延迟，IGI60F1414A1L可以实现最低的系统死区时间。这有助于最大程度地提高系统效率，从而将充电器和适配器解决方案的功率密度提高到35 W /in³。还为其他应用提供了灵活，便捷和快速的设计，包括LLC谐振拓扑和电机驱动器。

IGI60F1414A1L采用耐热增强型8×8 QFN-28封装。

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