东芝全新SiC MOSFET提升工业设备效率和小型化

东芝是一家专业的半导体制造厂商，一直以来东芝的产品阵容十分强大，这依赖于他们对于产品技术革新的重视。近日东芝推出了一款新品。

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，面向工业应用推出一款集成最新开发的双通道碳化硅（SIC）MOSFET芯片（具有3300V和800A特征）的模块---“MG800FXF2YMS3”，该产品将于2021年5月投入量产。 

为达到175℃的通道温度，该产品采用具有银烧结内部键合技术和高贴装兼容性的iXPLV（智能柔性封装低电压）封装。这款模块可充分满足轨道车辆和可再生能源发电系统等工业应用对高效紧凑设备的需求。

 应用

・用于轨道车辆的逆变器和转换器

・可再生能源发电系统

・工业电机控制设备

 特性

・漏源额定电压：VDSS＝3300V

・漏极额定电流：ID＝800A双通道

・宽通道温度范围：Tch＝175℃

・低损耗：

Eon＝250mJ（典型值）

Eoff＝240mJ（典型值）

VDS(on)sense＝1.6V（典型值）

・低杂散电感：Ls＝12nH（典型值）

・高功率密度的小型iXPLV封装

 主要规格

以上就是关于东芝推出的SiC MOSFET的相关介绍，这款产品在缩小体积的基础上提高了效率，更加满足当前市场上的应用需求。了解更多相关信息，请持续关注查IC网，感谢大家的阅读。