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瑞萨推出四款宏基站射频产品组合,实现更小封装

来源:互联网   2021-01-21 阅读:7

瑞萨电子是一家高级半导体解决方案供应商,瑞萨电子一直致力于打造自身的专业优势,关注市场需求变动,并提高产品的创新能力。近日,瑞萨电子推出新品。

全球半导体解决方案供应商瑞萨电子集团宣布,推出四款全新高可靠性、高性能产品,以加强其传统宏基站(BTS)射频产品组合,为客户带来完整射频信号链解决方案。此次扩展包括业界首款四通道F4482/1 TX可变增益放大器(VGA)和F011x系列双通道一级低噪声放大器(LNA)。新系列产品还包括F1471 RF驱动放大器——首款P1dB超过1/2W的大功率前置驱动器,以及采用更小的封装、具有更高隔离度、适用于DPD反馈路径的F2934 RF开关。

 

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扩展后的产品组合可提供5G宏基站系统所需的高性能、高可靠性、灵活性和较小的外形尺寸,并可在广泛的环境条件和频率带宽下均表现出卓越性能。新产品集成瑞萨Smart SiliconTM创新技术,可以用更小封装实现相关功能——对于多天线系统具有独特优势。

瑞萨电子射频通信、工业与通信事业部副总裁Naveen Yanduru表示:“随着5G转型的加速,我们已升级了宏基站产品组合的接收与发射链组件,使之具备更强的性能和更高的集成度。我们很高兴持续推出全新前沿电路设计,并通过新产品来实现完整的射频信号链,助力客户在将其下一代宏基站系统推向市场时,能够做到5G兼容。”

宏基站客户可将这些新产品与最近发布的F1490高增益RF放大器及高度集成的F0443 RX VGA相结合,以构建完整的射频信号链解决方案。

扩展的宏基站产品组合包括:

高度集成的F4482/1四通道TX VGA

◦RF频率范围为400MHz至2800MHz

◦集成在单个芯片上的巴伦、低通滤波器、放大器和数字步进衰减器

◦瑞萨Zero DistortionTM技术可提升服务质量,增加动态范围;Glitch-FreeTM技术可保护PA组件并简化DPD设计

双通道F011x第一级LNA(平衡式LNA或双通道LNA)

◦RF频率范围为650MHz至2700MHz

◦在2600MHz时,具有0.55dB低噪声系数和低回波损耗(-27dB输入,-23dB输出)

高线性度F1471射频驱动放大器

◦RF频率范围为400MHz至4200MHz,增益17dB

◦OIP3高达38dBm,2600MHz时OP1dB为28.5dBm

◦可调的OIP3性能和DC偏置,以实现调谐灵活性

高可靠性SP2T F2934 RF开关

◦RF频率范围为50MHz至6000MHz

◦更高的隔离度(1GHz和2GHz时为70dB,3GHz时为74dB,4GHz时为67dB),采用小型3x3 QFN封装,解决了PCB占板空间限制的问题

◦瑞萨KzTM恒定阻抗技术可在开关转换过程中保持VSWR不变

瑞萨电子在电路设计领域的强大创新力满足了无线基础设施市场不断发展的需求。具有独特技术差异的瑞萨专有射频解决方案可满足广泛应用的需求,包括massive MIMO和毫米波蜂窝基站、通信系统、微波(RF/IF)、CATV,以及测试和测量设备。

供货信息

F4482/1、F011x、F1471和F2934现已上市。

以上就是关于瑞萨推出的四款宏基站射频产品组合的相关介绍,希望能够为大家带来帮助,了解更多相关信息,请持续关注查IC网,感谢大家的阅读。

标签: 瑞萨电子 RF

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