英飞凌OptiMOS™ 40V低电压功率MOSFET，实现更高设计灵活性

如今芯片制造工艺飞速发展，人们对于电子产品的要求也越来越高。在MOSFET市场上，英飞凌作为一个市场的领导者，一直致力于研发更高集成度、高性价比的产品，近日，英飞凌又推出了一款新品，接下来查IC网小编向大家介绍一下这款新品。

当代的电源系统设计需要高功率密度等级和精巧的外型尺寸，以期得到最高的系统级性能。英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）通过专注于强化元器件产品达到系统创新，来应对这一挑战。继2 月份推出 25 V 装置后，英飞凌又推出了 OptiMOS™40 V 低电压功率 MOSFET，采用源极底置 (SD, Source-Down) PQFN 封装，尺寸为 3.3mm x 3.3 mm。这款 40 V SD MOSFET 适用于服务器的SMPS、电信和 OR-ing，还适用于电池保护、电动工具和充电器等应用。                                              

OptiMOS SD 40 V低电压功率 MOSFET 提供两种版本：标准版和中央栅极版。中央栅极版针对多部装置并联作业进行了优化。采用源极底置 (SD) PQFN 封装的装置尺寸为 3.3mm x 3.3 mm，可使 RDS(on)大大降低 25%，接面与外壳间的热阻 RDS(on)亦获得大幅改善。

SD 封装的内部采用上下倒置的芯片。如此一来，让源极电位 (而非汲极电位) 能通过导热片连接至 PCB。与现有技术相比，此版本最终可使 RDS(on)大大降低 25%。相较于传统的 PQFN 封装，接面与外壳间的热阻 (RthJC)亦获得大幅改善。SD OptiMOS 可承受高达 194 A 的高连续电流。此外，经过优化的配置可能性和更有效的 PCB 利用，可实现更高的设计灵活性和出色的性能。

以上就是英飞凌推出的这款OptiMOS™ 40V低电压功率MOSFET的介绍，了解更多英飞凌新品相关信息，请持续关注查IC网，感谢大家的阅读。